RecodeX 重构消息，在2026年未来存储与内存大会（FMS）上，三星电子公布面向AI基础设施的下一代存储技术路线图，首次展示zHBM、zNAND-O概念产品，并推出采用晶圆键合技术的400层以上V10 BV-NAND。zHBM通过将HBM垂直堆叠于AI加速器上方，缩短处理器与内存间数据传输距离，预计性能可达HBM5的8倍，内存密度提升超10倍。V10架构较上一代V9内存密度提升约58%，同时改善读写和输入输出性能。