RecodeX 重构消息，三星电子在加州举行的Future of Memory and Storage 2026大会上展示了新一代3D内存架构，并展出zHBM与zNAND-O模型。zHBM旨在缩短逻辑芯片（CPU、GPU等）与高带宽内存（HBM）之间的物理距离，将HBM直接堆叠于处理器上方，以提升AI加速器数据处理速度。该架构采用混合铜键合、多晶圆键合等技术，提高信号传输速度并降低热阻。三星高管在主题演讲中阐述了其3D内存愿景。