RecodeX 重构消息，三星电子在FMS上推出V10 Bonding V-NAND（BV-NAND）原型，采用超400层结构和晶圆键合架构，较上一代V9 NAND存储密度提升约58%，并增强读写及输入/输出性能。此外，三星展示了其称为业界首款的zHBM和zNAND-O架构概念模型，通过垂直堆叠存储单元于AI加速器之上，缩短数据传输距离并提高带宽与能效。三星称，该晶圆键合技术有望实现超过传统HBM5内存10倍的存储密度，能效提升3倍，热阻降低一半以上。