RecodeX 重构消息，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上推出BV-NAND原型，采用晶圆键合架构，层数超过400层，存储密度较上一代V9 NAND提升约58%，并改善读写及输入/输出性能。三星同时展示业界首款zHBM和zNAND-O概念模型，通过垂直堆叠存储单元，将存储置于AI加速器上方，缩短数据传输距离并提高能效。公司称，晶圆键合技术有望实现超过传统HBM5内存10倍的存储密度，能源效率提升3倍，热阻降低一半以上。