RecodeX 重构消息，三星电子在8月4日的未来存储与内存大会上推出BV-NAND原型产品，采用超400层结构和全新晶圆键合架构，存储密度较上一代V9 NAND提升约58%，读写及输入输出性能同步增强。三星还展示了业界首款zHBM和zNAND-O架构概念模型，其中zHBM将存储垂直堆叠于AI加速器之上，晶圆键合技术有望实现超传统HBM5内存10倍的存储密度，能源效率提高3倍，热阻降低一半以上。