RecodeX 重构消息，一项预测显示，在三星电子和SK海力士大力投资推动下，韩国将维持全球内存芯片市场领先地位至2031年。法国Yole Group分析师约瑟芬·卢在4日举行的2026年未来内存与存储大会上表示，韩国计划未来五年将晶圆产能翻倍，并同步扩大下一代DRAM（包括HBM）和NAND的产能与技术研发。卢还指出，高带宽内存（HBM）需求预计将从英伟达GPU迅速扩展至谷歌等大型科技公司自研AI加速器。