RecodeX 重构消息,三星电子公开新一代3D存储器,宣称其性能达到现有HBM(高带宽存储器)的八倍。该技术被视为面向AI高算力场景的下一代存储方案,目前具体规格、制程及量产时间尚未公布。这是三星在半导体存储领域的最新进展。
三星公开性能达HBM八倍的下一代3D存储器
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原始信息来源Coinnessyoutube.com
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