RecodeX 重构消息，三星电子在加州举行的Future of Memory and Storage 2026会议上获得两项大奖。其V10 BV-NAND技术荣获3D与NAND创新奖，该技术采用超过400层的超高堆叠架构，通过垂直键合与三堆栈结构降低功耗和发热；LPDDR5X-PIM技术则获下一代内存奖，这是全球首款集成存内计算的低功耗DRAM，可直接在内存内处理数据，减少数据迁移，预计将在AI加速器和高性能计算中发挥关键作用。