NoMIS Power发布6.5kV SiC MOSFET，推进10kV/20kV高压路线

RecodeX 重构消息，NoMIS Power公司展示了6.5kV碳化硅（SiC）MOSFET，初期成果实现超过8kV阻断电压、90mΩ导通电阻和55A电流，确立其作为美国高压SiC器件供应商的地位。公司路线图规划了10kV SiC MOSFET和20kV SiC IGBT的研发方向。