RecodeX 重构消息，韩国存储芯片厂商SK海力士8月7日宣布，董事会批准两项新工厂建设计划，总投资54万亿韩元（约390亿美元）。其中35.2万亿韩元用于龙仁半导体集群第二工厂Y2，19.1万亿韩元用于清州新NAND工厂M17。扩产涵盖DRAM与NAND两条产品线，前者对应高带宽内存（HBM），后者用于企业级固态硬盘，均为AI数据中心基础设施的核心组件。