RecodeX 重构消息，三星电子在加州圣克拉拉的FMS 2026上首次公开新一代3D内存架构zHBM与zNAND-O。zHBM将高带宽内存直接堆叠于AI加速器之上，缩短数据路径，称性能最高可达HBM5的8倍，每瓦性能提升3倍，热阻降至HBM5一半以下。该技术采用混合铜键合（HCB）实现高密度连接，但面临散热挑战。同步亮相的zNAND-O面向端侧AI，采用TSV技术；第10代V-NAND（V10 BV-NAND）堆叠超400层，存储密度较上代提升约58%。