RecodeX 重构消息，8月11日，三星电子技术专家Park Chang-min在2026年NGL会议上宣布，公司计划在1nm（A10）节点大规模生产中部署高NA EUV光刻技术，目标约2030年量产，目前该技术仍处于商业化开发阶段。三星已实现2nm工艺商业化，并计划于2029年量产1.4nm SF1.4工艺，2030年量产增强版SF1.4+及1nm工艺。