RecodeX 重构消息,据悉,三星电子旗下代工业务尚未承诺引入阿斯麦(ASML)新一代高数值孔径极紫外光刻设备(High-NA EUV),但这一策略预计将在2030年研发1nm制程节点时改变。届时,三星将成为顶尖芯片厂商中较晚采用该设备的厂商之一。
三星电子推迟引入High-NA EUV设备 拟2030年用于1nm制程
AI 辅助判断中性仅供信息参考,不构成投资建议
原始信息来源Cnbetacnbeta.com.tw
查看原文 ↗RecodeX 重构消息,据悉,三星电子旗下代工业务尚未承诺引入阿斯麦(ASML)新一代高数值孔径极紫外光刻设备(High-NA EUV),但这一策略预计将在2030年研发1nm制程节点时改变。届时,三星将成为顶尖芯片厂商中较晚采用该设备的厂商之一。