RecodeX 重构消息，三星电子半导体研究院晶圆代工工艺开发团队Park Chang Min于8月11日表示，三星将在1nm级工艺节点实现High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）设备的商业化应用。该设备目前处于早期导入阶段，被视为2nm以下制程及先进制程微缩的关键技术。三星的这一规划有望为先进制程后续发展提供支撑。