长鑫存储导入HKMG技术 瞄准1a DRAM节点

RecodeX 重构消息，中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）已在DRAM晶体管中导入高K金属栅极（HKMG）技术。这项材料与器件层面的升级有望缓解制程微缩所面临的漏电难题，并为其向更先进的1a级DRAM节点推进铺平道路。