RecodeX 重构消息,据《The Information》援引知情人士消息,长鑫存储已开始小批量生产HBM3E,并计划于2027年扩大产量。HBM是AI芯片旁的高速内存,此前国产AI芯片在该领域存在短板。寒武纪、阿里平头哥等国内芯片团队正在测试长鑫的HBM,若进展顺利,最快明年将用于产品。HBM3E是英伟达H200和Blackwell使用的内存代际,长鑫目前仅落后于SK海力士、三星、美光正在量产的HBM4一代。但小批量生产距成熟量产尚有距离,良率偏低,速度与可靠性不及三大厂。SK海力士2024年已量产HBM3E,三大厂已进入HBM4阶段并送样HBM4E。长鑫此次突破“能否造出”关口,下一步需提升良率与产量。
长鑫存储小批量产HBM3E,计划2027年扩产
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