RecodeX 重构消息，香港理工大学研究团队研制出一种新型隧穿场效应晶体管（TFET），突破了传统MOSFET器件的玻尔兹曼极限。该成果有望显著降低芯片功耗，为未来低功耗电子器件的发展提供新路径。