RecodeX 重构消息，三星电子公布下一代高带宽存储器（HBM）战略，计划将HBM5性能提升至HBM4E的2倍，后续产品zHBM性能目标达到HBM4E的8倍，以3D结构创新争夺市场主导权。针对大语言模型（LLM）的大容量需求，三星推进zNAND-O开发，目标比特密度达DRAM的10倍，读取带宽和能效分别提升至NAND的7倍，计划2028年开始样品供应。