RecodeX 重构消息,铭芯启睿(MemSilicon)宣布完成首代高密度大容量RRAM芯片“泰山一号(MountTai 2026)”流片,目前正推进芯片验证。该芯片基于1TnR技术路线,采用28nm CMOS工艺平台及1T4R存储结构,单芯片容量达1Gb,存储密度30Mb/mm²,访问延时小于20ns,并集成片上硬件纠错电路。1T4R结构通过一个选择晶体管连接四个阻变存储单元,以提高存储密度。