RecodeX 重构消息,铭芯启睿(MemSilicon)宣布完成首代高密度大容量RRAM芯片“泰山一号(MountTai 2026)”流片,目前正推进芯片验证。该芯片基于1TnR技术路线,采用28nm CMOS工艺平台及1T4R存储结构,单芯片容量达1Gb,存储密度30Mb/mm²,访问延时小于20ns,并集成片上硬件纠错电路。1T4R结构通过一个选择晶体管连接四个阻变存储单元,以提高存储密度。
铭芯启睿首款1Gb RRAM芯片泰山一号完成流片
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铭芯启睿完成1T4R 1Gb RRAM芯片流片 正推进验证
RecodeX 重构消息,铭芯启睿宣布完成首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片,目前正在推进相关验证工作。该芯片采用1T4R架构,面向高密度、大容量存储需求。
铭芯启睿泰山一号完成流片 国际首款1T4R 1Gb RRAM芯片
RecodeX 重构消息,铭芯启睿宣布,其基于1TnR技术路线的首代高密度大容量RRAM芯片“泰山一号”已完成流片。该芯片采用28nm CMOS工艺平台和1T4R单元结构,单芯片容量1Gb,密度达30Mb/mm²,访问延时小于20ns,并集成片上硬件纠错电路。 该技术源自中科院刘明院士团队的技术积累,公司通过多项自主创新攻克1TnR结构大容量RRAM芯片的核心技术挑战。目前芯片正推进验证。