RecodeX 重构消息，美光科技在技术网络研讨会上公布DRAM、HBM与NAND技术路线图，提出下一代DRAM工艺1δ和400层以上NAND产品G11的扩产目标定在2027年下半年。1δ是继当前量产的1γ之后的下一代DRAM工艺，美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer表示，其位密度将比上一代提升20%以上。公司同时推进垂直型HBM和3D DRAM的研发。DeBoer称，内存是AI的核心，也是当前限制系统性能与能力的关键因素。