RecodeX 重构消息,英特尔披露其面向未来约20年的半导体技术路线图,规划引入CFET(互补场效应晶体管)、3D堆叠与混合键合等新一代芯片技术。上述方向指向晶体管结构从环绕栅极向垂直堆叠演进,并通过3D堆叠与混合键合提升芯片内部互连密度与集成度。
英特尔公布20年后芯片路线图:CFET、3D堆叠与混合键合齐上阵
AI 辅助判断中性AI 看多仅供信息参考,不构成投资建议
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