RecodeX 重构消息，SK海力士董事会批准约54.3万亿韩元（约380亿美元）投资，在韩国新建两座内存晶圆厂。其中龙仁Y2厂将投入35.2万亿韩元生产HBM及下一代DRAM，清州M17厂投入19.1万亿韩元生产NAND闪存。M17厂计划2027年2月动工，2028年12月启用首间洁净室；Y2厂计划2027年7月动工，2029年6月启用。公司称Y2一期水电基础设施已完成99%，并将龙仁集群四座工厂完工目标从2045年提前至2033年。市场研究机构Omdia预计2026至2030年DRAM和NAND需求年复合增长率为19%。