RecodeX 重构消息,加州大学圣地亚哥分校研究人员在IEDM会议上展示了一种新型RRAM技术,通过消除传统电阻式RAM中的细丝结构,实现了更高电阻值和更多电阻级别,能在内存中直接进行并行矩阵运算,有望突破AI的内存墙限制,特别适用于边缘设备的神经网络应用。
加州大学圣地亚哥分校研究人员在IEDM会议上展示了一种新型RRAM技术,通过消除...
原始信息来源wearable sensors—spectrum.ieee.org
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