IBM发布0.7纳米芯片制造工艺，采用“纳米堆叠”3D晶体管架构，称可维持芯片创新十年
发现重构世界的力量
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IBM发布0.7纳米芯片制造工艺，采用“纳米堆叠”3D晶体管架构，称可维持芯片创新十年
6月25日，IBM宣布在半导体技术领域取得重大突破，推出了全球首款“亚纳米”（sub-1nm）芯片工艺技术。该技术采用了革命性的“三维垂直堆叠”（NanoStack）晶体管架构，直接跨越至0.7纳米（即7埃米，Angstrom）节点。
通过这种新型3D架构，IBM成功在指甲盖大小的芯片上集成了近1000亿个晶体管，晶体管密度较其2021年推出的2纳米芯片整整翻了一番。根据测试数据，与2纳米芯片相比，该技术预计将带来最高50%的性能提升，或降低达70%的能耗，同时使SRAM（静态随机存取存储器）的面积缩减40%，这将为亟需高带宽、低能耗的AI算力芯片注入强劲动力。