RecodeX 重构消息,SK海力士封装工程副总裁Jaesik Lee在2026年Hot Chips大会上发表题为“高带宽内存的先进封装”的简报,披露公司正为下一代HBM解决方案引入包括英特尔EMIB在内的先进封装技术,并计划最终进入3D封装时代,以加速HBM产品路线图。
SK海力士披露HBM先进封装路线:引入英特尔EMIB迈向3D
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SK海力士为下一代HBM引入EMIB等先进封装技术
RecodeX 重构消息,SK海力士正为其下一代高带宽内存(HBM)解决方案引入包括英特尔EMIB在内的先进封装技术,并计划最终进入3D封装时代。在2026年Hot Chips大会上,该公司封装工程副总裁Jaesik Lee详细阐述了利用先进封装技术加速HBM产品路线图的计划。目前,SK海力士正在探索混合键合等方法,以突破16层堆叠限制,未来还计划通过增加TSV数量、提高逻辑工艺集成的IO速度,以及优化电源分配网络(PDN)来解决功耗挑战。
SK海力士披露下一代HBM先进封装技术,引入英特尔EMIB
RecodeX 重构消息,SK海力士在近日披露了下一代HBM内存的先进封装技术,该技术引入了英特尔的EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)方案。EMIB技术通过嵌入式硅桥实现芯片间的高密度互连,有望提升HBM的带宽和能效。此举标志着SK海力士在HBM封装领域的进一步布局,以应对AI芯片对高带宽内存的强劲需求。