SK海力士HBM先进封装技术

RecodeX 重构消息，SK海力士表示，将充分利用其现有的SIX-F-SQUARE技术。

RecodeX 重构消息，SK海力士表示，自第四季度起，HBM4芯片已成为公司的主力产品。HBM4为面向人工智能加速器的高带宽存储新一代产品，此次表态意味着该产品在公司出货结构中已占据主要位置。

RecodeX 重构消息，SK海力士正为面向2029年量产的HBM5招募供应商，以推进其iHBM集成散热方案。该设计将冷却元件集成在靠近基础裸片与GPU互连的位置，可将热阻降低30%以上。

RecodeX 重构消息，SK海力士正推进面向HBM高带宽内存的散热新技术，方案涉及在封装中嵌入特定元件以改善散热表现。随着HBM堆叠层数和功耗持续上升，散热已成为制约性能释放的关键环节，该技术方向被视为其先进封装布局的延伸。

RecodeX 重构消息，SK海力士正推动新一代iHBM（集成高带宽存储器）技术迈向量产阶段，并已开始讨论相关量产计划。随着人工智能产业快速发展带动算力需求激增，HBM的散热问题正成为制约性能提升的重要瓶颈，iHBM被视为解决这一难题的重要技术路线，其散热能力较上一代提升30%。

RecodeX 重构消息，SK海力士在加州举行的OCP全球峰会上展示了面向下一代AI基础设施的存储技术，涵盖超越传统高带宽存储（HBM）的方案。展区分为存储区和系统演示区，前者展示旗舰产品，后者展示支持下一代服务器生态的存储解决方案。高级副总裁Kim Ho-sik介绍了MARS（以存储为中心的AI机架级系统），这是一种分离式机架级架构，用于协调计算与存储资源，并介绍了高带宽闪存（HBF）技术的进展。

RecodeX 重构消息，SK海力士已决定调整第六代高频宽记忆体（HBM4）的扩产节奏，将原定于2026年采购的部分后段制程设备订单延后至2027年。此次调整涉及封装与检测环节的设备采购。

RecodeX 重构消息，Onto Innovation宣布，因在HBM（高带宽内存）缺陷检测技术方面的贡献，获得SK海力士颁发的供应商奖项。该奖项认可其在HBM制造环节缺陷检测与量测技术上的表现。

RecodeX 重构消息，据韩国业内人士消息，SK海力士在混合键合（Hybrid Bonding）技术研发上进展受阻，可能已落后于三星电子。目前SK海力士尚未启动基于混合键合技术的HBM样品生产，而三星已向客户送出采用该技术制造的HBM样品。混合键合被视为下一代高带宽内存的关键封装工艺，双方在该技术上的进度差异或影响后续HBM市场竞争格局。

RecodeX 重构消息，韩美全球（HanmiGlobal）表示，正在为SK海力士位于美国印第安纳州西拉法叶的高带宽内存（HBM）先进封装工厂提供项目管理服务。该工厂是SK海力士在美国的首个人工智能存储生产基地，投资额超过40亿美元，已于3月开工，洁净室计划于2028年10月完工。韩美全球自2024年8月的施工前阶段起参与该项目，将负责设计管理、进度与成本控制、质量与安全管理及风险管理，并协调参与项目的韩国与美国合作方。

RecodeX 重构消息，据行业消息人士8月31日透露，SK海力士正考虑将第七代高带宽存储器（HBM4E）的部分基底芯片生产外包给英特尔代工厂，以建立多供应商代工策略，减少对台积电的供应链集中度，并增强定价议价能力。目前，SK海力士完全依赖台积电进行外包基底芯片生产。市场预计HBM4E基底芯片成本负担将进一步增加，而由于HBM产品主要受长期供应协议覆盖，SK海力士难以立即通过提价转嫁成本。若英特尔加入供应链，该公司将在成本竞争力和供应稳定性方面获得更多选择。

RecodeX 重构消息，韩国芯片制造商SK海力士周四宣布，计划于2029年第三季度在其印第安纳州工厂开始量产下一代HBM4E芯片，并预计该基地最终年产能将达到数十万片晶圆。该项目投资超过40亿美元，是SK海力士扩大美国业务的重要举措，旨在更贴近英伟达、微软和谷歌等主要客户。公司预计到2030年，印第安纳州将成为美国关键的HBM生产基地。该工厂位于西拉法叶的普渡研究园，计划于2028年下半年开始洁净室运营，将配备下一代HBM封装线和AI半导体研发设施。

RecodeX 重构消息，SK海力士周四为位于印第安纳州西拉斐特的先进内存封装工厂举行奠基仪式，总投资超40亿美元，占地133.5英亩，将成为该公司在美国的首个高带宽内存（HBM）封装基地。CEO郭鲁正表示，工厂洁净车间预计2028年10月投入使用，下一代HBM计划于2029年下半年量产，全面投产后可雇佣约1000名员工。此举被视为美国重建战略关键领域本土供应链与制造业的重要里程碑。

RecodeX 重构消息，SK海力士公布最新HBM进展，指出竞争焦点正从内存性能转向封装技术。公司强调先进封装在提升HBM产品竞争力中的关键作用，未来将加大相关技术研发投入。

RecodeX 重构消息，SK海力士封装工程副总裁Jaesik Lee在2026年Hot Chips大会上发表题为“高带宽内存的先进封装”的简报，披露公司正为下一代HBM解决方案引入包括英特尔EMIB在内的先进封装技术，并计划最终进入3D封装时代，以加速HBM产品路线图。