SK海力士HBM先进封装技术

RecodeX 重构消息，据行业消息人士8月31日透露，SK海力士正考虑将第七代高带宽存储器（HBM4E）的部分基底芯片生产外包给英特尔代工厂，以建立多供应商代工策略，减少对台积电的供应链集中度，并增强定价议价能力。目前，SK海力士完全依赖台积电进行外包基底芯片生产。市场预计HBM4E基底芯片成本负担将进一步增加，而由于HBM产品主要受长期供应协议覆盖，SK海力士难以立即通过提价转嫁成本。若英特尔加入供应链，该公司将在成本竞争力和供应稳定性方面获得更多选择。

RecodeX 重构消息，韩国芯片制造商SK海力士周四宣布，计划于2029年第三季度在其印第安纳州工厂开始量产下一代HBM4E芯片，并预计该基地最终年产能将达到数十万片晶圆。该项目投资超过40亿美元，是SK海力士扩大美国业务的重要举措，旨在更贴近英伟达、微软和谷歌等主要客户。公司预计到2030年，印第安纳州将成为美国关键的HBM生产基地。该工厂位于西拉法叶的普渡研究园，计划于2028年下半年开始洁净室运营，将配备下一代HBM封装线和AI半导体研发设施。

RecodeX 重构消息，SK海力士周四为位于印第安纳州西拉斐特的先进内存封装工厂举行奠基仪式，总投资超40亿美元，占地133.5英亩，将成为该公司在美国的首个高带宽内存（HBM）封装基地。CEO郭鲁正表示，工厂洁净车间预计2028年10月投入使用，下一代HBM计划于2029年下半年量产，全面投产后可雇佣约1000名员工。此举被视为美国重建战略关键领域本土供应链与制造业的重要里程碑。

RecodeX 重构消息，SK海力士公布最新HBM进展，指出竞争焦点正从内存性能转向封装技术。公司强调先进封装在提升HBM产品竞争力中的关键作用，未来将加大相关技术研发投入。

RecodeX 重构消息，SK海力士封装工程副总裁Jaesik Lee在2026年Hot Chips大会上发表题为“高带宽内存的先进封装”的简报，披露公司正为下一代HBM解决方案引入包括英特尔EMIB在内的先进封装技术，并计划最终进入3D封装时代，以加速HBM产品路线图。