RecodeX 重构消息，韩国芯片制造商SK海力士周四宣布，计划于2029年第三季度在其印第安纳州工厂开始量产下一代HBM4E芯片，并预计该基地最终年产能将达到数十万片晶圆。该项目投资超过40亿美元，是SK海力士扩大美国业务的重要举措，旨在更贴近英伟达、微软和谷歌等主要客户。公司预计到2030年，印第安纳州将成为美国关键的HBM生产基地。该工厂位于西拉法叶的普渡研究园，计划于2028年下半年开始洁净室运营，将配备下一代HBM封装线和AI半导体研发设施。