RecodeX 重构消息，SK海力士周四为位于印第安纳州西拉斐特的先进内存封装工厂举行奠基仪式，总投资超40亿美元，占地133.5英亩，将成为该公司在美国的首个高带宽内存（HBM）封装基地。CEO郭鲁正表示，工厂洁净车间预计2028年10月投入使用，下一代HBM计划于2029年下半年量产，全面投产后可雇佣约1000名员工。此举被视为美国重建战略关键领域本土供应链与制造业的重要里程碑。
SK海力士启动印第安纳州40亿美元存储中心建设
后续报道
SK海力士美国印第安纳州40亿美元存储器工厂动工
RecodeX 重构消息，SK海力士在美国印第安纳州西拉斐特举行先进存储器封装工厂奠基仪式，该工厂将成为其在美国的首个高带宽存储器（HBM）封装基地。洁净室预计2028年10月开放，量产计划于2029年下半年启动。项目总投资40亿美元，获美国《芯片与科学法案》支持，旨在加强美国国内AI芯片供应链并创造就业机会。
SK海力士斥资38.7亿美元在印第安纳州动工建设AI内存封装厂
RecodeX 重构消息，SK海力士8月27日在印第安纳州普渡大学举行AI内存先进封装生产基地的破土动工仪式，这是该公司在美国的首个生产与研发基地。项目投资38.7亿美元，占地54万平方米，为印第安纳州史上最大单体开发项目。工厂计划2028年下半年量产下一代高带宽内存（HBM）等先进AI内存产品，将韩国利川和清州工厂生产的晶圆运至美国封装后，直接交付英伟达等大客户。根据2024年6月与印第安纳州经济发展公司签署的协议，SK海力士到2055年最高可获得7.1218亿美元补贴。
SK海力士美国印第安纳HBM封装厂奠基
RecodeX 重构消息，SK海力士在美国印第安纳州建设的HBM先进封装工厂举行奠基仪式，预计2029年投产。该工厂将专注于高带宽存储器（HBM）的封装生产，以强化其在全球AI芯片供应链中的地位。
SK海力士印第安纳州HBM生产基地破土动工
RecodeX 重构消息，SK海力士在美国印第安纳州举行HBM（高带宽存储器）生产基地破土动工仪式，投资超40亿美元。该基地将成为美国首个下一代HBM大规模生产基地，计划于2029年下半年投产，产品将实现“美国制造”。此举旨在稳定美国半导体供应链，助力美国国家安全与经济，并构建半导体生态系统。
SK海力士40亿美元美国HBM封装厂动工
RecodeX 重构消息，SK海力士8月27日启动位于美国印第安纳州、投资40亿美元的先进内存封装厂建设，计划2029年下半年在该工厂量产下一代HBM4E芯片。公司CEO预计印第安纳州将成为美国高带宽内存（HBM）的核心生产基地。
SK海力士印第安纳州40亿美元封装厂动工
RecodeX 重构消息，SK海力士在美国印第安纳州投资逾40亿美元的存储芯片先进封装工厂正式动工。该工厂将专注于高带宽存储器（HBM）等先进封装工艺，预计将强化公司在全球半导体供应链中的布局，并就近服务北美客户。
AI 辅助判断积极AI 看多仅供信息参考，不构成投资建议
原始信息来源新浪财经