RecodeX 重构消息，半导体产业研究机构SemiAnalysis指出，3D NAND堆叠层数突破约300层后，钼有望取代钨成为高层数NAND的材料选择，钼在读写速度、制程工艺及填充能力上更具优势。预计2025-2027年，钼在全球NAND总产能中的占比将从个位数中段升至约30%；2027年NAND钼沉积设备市场规模或超10亿美元。若DRAM与逻辑芯片也采用钼制程，2030年整体钼沉积设备市场年规模或达约20亿美元。设备供应商中，泛林集团将率先受益，东京电子紧随其后，应用材料、阿斯麦、北方华创则更多受益于后续DRAM及逻辑芯片导入钼制程的需求。
