RecodeX 重构消息，据《首尔经济日报》报道，三星电子正按照英伟达要求开发8层HBM4E产品，用于英伟达定制高带宽存储器NVHBM。该方案较三星原先准备的12层和16层产品减少堆叠层数，英伟达提出的目标速度为17至18Gbps，较三星早期HBM4E样品的14.4Gbps提高约20%。采用8层设计可降低晶圆减薄、精密堆叠及后端封装难度，减轻良率压力并提高供应能力。NVHBM可能从预计明年推出的Rubin Ultra AI GPU开始应用，其GPU互连规模将由现有72颗扩大至最多576颗。三星具备DRAM、逻辑芯片及基础裸片的设计和生产能力，可为定制HBM提供一站式服务。