该事件线追踪AI存储芯片产能扩张动态，聚焦头部厂商扩产与市场供需变化。最新进展显示，铠侠与闪迪拟投310亿至314亿美元新建闪存工厂，三星按英伟达要求开发8层HBM4E，国产厂商扭亏为盈并送样新一代产品，DRAM出口价同比暴涨401%。整体看，AI需求正驱动存储行业进入新一轮扩产周期。
据报道，三星已锁定约70%的存储芯片产能至2031年，以确保长期供应稳定。此举旨在应对全球存储芯片需求增长，并巩固其市场地位。
网易科技三星电子存储芯片产能紧张，约70%的产能已被客户锁定至2031年。受此影响，HBM（高带宽内存）现货价格已飙升至合约价的四倍。市场分析认为，AI需求持续推动存储芯片供不应求，短期内缺货状况难以缓解。
新浪财经国产存储芯片大厂发布盘后公告，公司实现惊人扭亏，净利润超过770亿元。同时，新一代存储芯片产品已向客户送样，标志着公司在高端存储领域取得重要进展。此外，锂电材料巨头业绩暴增9倍，头部券商合并重组传闻亦获实质进展。
金十数据据《首尔经济日报》报道，三星电子正按照英伟达要求开发8层HBM4E产品，用于英伟达定制高带宽存储器NVHBM。该方案较三星原先准备的12层和16层产品减少堆叠层数，英伟达提出的目标速度为17至18Gbps，较三星早期HBM4E样品的14.4Gbps提高约20%。采用8层设计可降低晶圆减薄、精密堆叠及后端封装难度，减轻良率压力并提高供应能力。NVHBM可能从预计明年推出的Rubin Ultra AI GPU开始应用，其GPU互连规模将由现有72颗扩大至最多576颗。三星具备DRAM、逻辑芯片及基础裸片的设计和生产能力，可为定制HBM提供一站式服务。
区块律动铠侠宣布将新建第三座闪存工厂，以应对AI驱动的存储需求激增。此举标志着存储芯片行业扩产潮的延续，铠侠正加大投资以满足数据中心和AI应用对高性能存储的持续需求。
网易科技铠侠宣布，计划在2029财年将其新存储芯片工厂投入运营。该工厂将用于扩大存储芯片产能，以满足市场需求。目前具体投资金额和产能规模尚未披露。
雪球韩国DRAM 8月出口价格同比暴涨401%。消息称美国向韩国施压，要求其在美大规模投资存储芯片工厂。苹果M5 Ultra配备高达512GB的统一内存。机构预测存储短缺导致平板显示器出货量同比下降4.7%。Gartner预计2026年存储器市场规模达8373亿美元。TrendForce预测存储器2027年将占主要CSP超2/3资本支出。需求有限下市场竞价频繁，本周部分eMMC、LPDDR4X产品价格小幅下调。江波龙调整募资金额，36.68亿加码AI存储布局。集邦咨询预估2027年存储器合约价占主要CSP资本支出比重达68%。亚马逊在美大幅上调多款硬件设备售价，部分产品涨幅达60%。
金十数据韩国关税厅数据显示，本月1日至20日，韩国DRAM出口单价达每公斤9.2183万美元，同比上涨401%，较2023年1月低点上涨约12.5倍。AI驱动的HBM生产正挤压普通内存供应，高盛预计DRAM供应缺口将从今年的5.0%扩大至明年的5.9%，并指出AI服务器所需的HBM及大容量服务器DRAM正吸收有限产能，导致普通DRAM供应进一步收紧。
华尔街见闻江波龙公告，拟使用部分募集资金，通过增资或借款方式向子公司、孙公司投入，以实施募投项目。本次向特定对象发行股票募集资金净额为36.68亿元，募投项目包括面向AI领域的高端存储器研发及产业化、半导体存储主控芯片系列研发、半导体存储高端封测建设及补充流动资金。借款期限为实际借款日起至募投项目实施完成日止，可提前还款或到期续借。该事项已获董事会审议通过，保荐机构中信建投证券无异议。
新浪财经8月21日，三星已将部分4纳米、5纳米和8纳米代工价格提高10%至15%；台积电则将2026年资本开支上调至600亿至640亿美元，反映现有产能仍难匹配AI需求。涨价有利于掌握稀缺产能的存储、晶圆代工和封装厂商，但会抬高服务器、PC及消费电子企业的成本。市场关注盈利上修与新增产能的赛跑：缺货越久，龙头定价权越强；若扩产超需求，价格回落和库存反转将放大半导体股波动。
区块律动利基型存储器厂华邦电正加快新产能建设节奏，以回应AI带来的长期需求提升。原计划分两期进行的高雄路竹园区扩展项目已整合为Module B同步加速推进，将覆盖标准DRAM、CUBE客制化内存解决方案、WoW键合、硅电容器等品类，并满足未来14nm、12nm级内存工艺升级和EUV光刻机导入需求。Module B预计2027年启动无尘室建设，最快2029年初启动装机，根据客户需求预测与长期协议分阶段导入设备。
新浪财经存储芯片需求持续旺盛，华邦电子表示产能已洽谈至2030年，并宣布加码扩产。公司正积极应对市场对存储芯片的强劲需求，以保障长期供应能力。
凤凰科技三星电子计划调整正在建设中的韩国平泽P5晶圆厂设计方案，将原计划的两层厂房升级为三层结构。此次调整涉及P5 1号和2号厂，两座工厂未来将共同组成全球单一厂区规模最大的半导体制造基地。该项目于2022年启动建设，预计2030年完成，建设高峰期曾投入约5万名工人。 此前，三星平泽园区P4及之前工厂均采用“双晶圆厂”布局，每栋建筑包含4个洁净室。若P5三层设计方案获批，将采用“三晶圆厂”结构，最多容纳6个洁净室，洁净室数量增加约50%，整体生产能力预计至少提升50%。未来三星电子和SK海力士在龙仁半导体产业园等新建晶圆厂，也可能采用类似设计。业内认为，此举反映全球AI芯片需求增长背景下，存储和先进制程产能扩张正在加速。
区块律动受全球AI热潮与DRAM芯片短缺影响，消费级固态硬盘市场持续震荡。一位海外用户分享的购买经历显示，其不到三年前购买的三星4TB SATA III固态硬盘，如今价格已暴涨约六倍，凸显存储市场供应紧张现状。
Cnbeta最新行业数据显示，企业级SSD已消耗全球48%的NAND闪存供应。人工智能数据中心和超大规模运算设施是主要驱动力，芯片制造商正将大部分产能向科技巨头和AI初创公司倾斜，存储市场正经历深刻变革。
Cnbeta2026年，存储芯片行业迎来集中涨价行情，龙头企业业绩集体爆发。记者调研发现，本轮景气周期并非全品类需求共振，AI算力持续虹吸先进产能，HBM高端存储供需紧张，行业结构性特征凸显。受访专家认为，伴随涨价节奏趋缓，细分赛道分化行情或将持续，AI驱动的存储超级周期正进入新阶段。
新浪财经三星电子正考虑将器兴NRD-K研发园区2号线从研发转为代工，以扩产2nm HBM基础芯片，面向英伟达等客户的cHBM和HBM5需求。该线预计2028年下半年启用，采用Send Fab模式，即接收其他产线晶圆仅执行特定工艺。NRD-K园区投资约20万亿韩元，共规划3条产线，1号线已于2024年底完工。此次调整旨在提前卡位AI驱动的HBM需求爆发，但设备采购订单尚未发出，最终用途仍可能调整。
区块律动SK海力士正投入7200亿美元扩建内存工厂，以满足人工智能带来的高带宽内存（HBM）需求。作为HBM领域的领先制造商，该公司的大规模产线建设已在韩国全面铺开，将显著提升AI存储芯片的供应能力。
CNBCSK海力士正在韩国各地扩大高带宽内存（HBM）、DRAM、NAND及先进封装产能，以满足人工智能驱动的全球内存需求增长。扩产计划覆盖韩国多个生产基地，旨在提升AI服务器所需关键存储芯片的供应能力。
Upstract