RecodeX 重构消息,三星电子发布新一代3D NAND闪存V10 BV-NAND,采用三层堆叠HARC技术实现超400条字线架构,结合多孔与零虚拟孔技术,较上代V9位密度提升58%。该产品支持高达128TB SSD,I/O性能超4.8Gbps,适配新一代PCIe Gen7 SSD,并提升能效以降低AI数据中心功耗与总拥有成本。
三星发布超400层V10 BV-NAND,I/O速度突破4.8Gbps
AI 辅助判断积极AI 看多仅供信息参考,不构成投资建议
原始信息来源新浪财经
RecodeX 重构消息,三星电子发布新一代3D NAND闪存V10 BV-NAND,采用三层堆叠HARC技术实现超400条字线架构,结合多孔与零虚拟孔技术,较上代V9位密度提升58%。该产品支持高达128TB SSD,I/O性能超4.8Gbps,适配新一代PCIe Gen7 SSD,并提升能效以降低AI数据中心功耗与总拥有成本。