RecodeX 重构消息,三星电子发布新一代3D NAND闪存V10 BV-NAND,采用三层堆叠HARC技术实现超400条字线架构,结合多孔与零虚拟孔技术,较上代V9位密度提升58%。该产品支持高达128TB SSD,I/O性能超4.8Gbps,适配新一代PCIe Gen7 SSD,并提升能效以降低AI数据中心功耗与总拥有成本。