铠侠拟以CXL模组升级NAND替代部分DRAM

RecodeX 重构消息，铠侠在半导体存储器技术说明会上表示，计划通过专为人工智能工作负载设计的CXL模组提升NAND闪存处理速度，以替代部分DRAM。该模组可将数据读取时间缩短至传统产品的十分之一以下，性能更接近DRAM。铠侠称，若将部分DRAM换成CXL模组，容量可提升至2倍，性能提升30%。