北方华创发布3D DRAM两步刻蚀突破 或助长鑫存储规避EUV限制

RecodeX 重构消息，北方华创在IEEE期刊发表学术论文，宣布在3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破，开发出创新的两步循环刻蚀工艺。该技术有望帮助长鑫存储等本土存储芯片厂商在无法获取先进EUV光刻机的情况下，通过垂直堆叠突破晶体管密度瓶颈，开辟规避西方制裁的新路径。