RecodeX 重构消息，SK海力士正加速扩大第六代10nm级DRAM工艺1c nm的产能份额。1c DRAM将作为核心芯片堆叠HBM，应用于下一代高带宽内存。据业内人士透露，其市场份额已从今年第一季度的约10%增至第二季度的13%左右，预计第三季度升至24%左右，第四季度达34%左右。明年第一季度，1c nm份额有望攀升至35%左右，首次超过1b（约33%），成为主流工艺。