RecodeX 重构消息，三星电子将与全球最大光刻设备制造商ASML共同开发高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻技术，并推动光掩模版从6英寸向12英寸版本过渡。三星计划从2028年起将高NA EUV设备应用于DRAM生产，随后扩展至1.4纳米先进逻辑工艺，以推动晶圆代工业务发展。扩大掩模版尺寸旨在弥补EUV技术局限，高NA EUV的数值孔径比传统EUV高66%，可形成更精细电路图案，提高生产效率并降低制造成本。