RecodeX 重构消息，SK海力士提出目标，计划在2028年将High NA EUV（高数值孔径极紫外）光刻技术应用于DRAM内存的量产环节。该技术被视为下一代先进制程的关键设备方向，若按计划落地，将用于其DRAM产品的规模化生产。