通富微电披露已掌握3D NAND多芯片堆叠及3Ds DRAM封装技术

RecodeX 重构消息，通富微电（002156.SZ）披露，公司已掌握3D NAND多芯片堆叠技术、3Ds 2/4H Strip Level DRAM技术以及PoP技术。上述技术覆盖存储芯片堆叠与封装环节，涉及NAND与DRAM两类存储产品的先进封装工艺。