科技2026/09/28 13:25东芝推出3300V SiC MOSFET模块,主打高浪涌电流能力RecodeX 重构消息,东芝发布3300V碳化硅(SiC)MOSFET模块,该产品具备高浪涌电流承受能力,面向工业设备应用,旨在提升设备运行可靠性。 AI 辅助判断积极仅供信息参考,不构成投资建议原始信息来源新浪科技finance.sina.com.cn查看原文 ↗生成图片卡片复制快讯分享 / 更多⌄复制链接系统分享分享到 X分享到 Telegram分享到 Facebook内容纠错Aa 字号:标准本机收藏← 上一条MLCC板块大幅调整 火炬电子跌停多股跌超10%下一条 →国家税务总局曝光骗取出口退税案 多人获刑