RecodeX 重构消息，SK海力士首席开发官安炫在首尔Coex举行的SEDEX 2026半导体展发表主题演讲时表示，公司将把高带宽闪存（HBF）和3D堆叠DRAM作为突破HBM局限的下一代AI内存方案。HBF通过垂直堆叠NAND闪存并以硅通孔连接各层，带宽约为现有HBM的一半，但容量可提升十倍以上；公司通过预取技术缓解NAND速度短板，计划于2027年1月完成技术标准并构建生态。安炫称，若2026年AI基础设施性能指数为1，到2030年将扩大20倍，推理服务请求每年增长7倍，内存需超越单一部件角色。此外，长鑫存储已释放将采用面向服务器的4F²下一代DRAM技术信号，三星电子首席技术官宋在赫表示正积极推进该技术，4F²较现有6F²结构可使单元面积减少约三分之一。