三星与SK海力士升级中国工厂以生产更先进芯片

三星、SK海力士升级中国NAND工厂，应对长江存储竞争

RecodeX 重构消息，三星电子与SK海力士正分别升级位于西安和大连的工厂，计划生产更高层数的NAND闪存芯片，以应对长江存储的快速扩张，并满足人工智能带来的存储需求增长。 三星西安工厂目前生产约200层芯片，占其全球NAND产量约40%，升级后将生产286层V9 NAND，内部项目名为「Monami」，目标2026年12月月产5000片晶圆，2027年12月提升至4万片。三星称此次升级不涉及扩大产能或新建制造设施。SK海力士大连工厂目前生产约192层产品，已获准生产最高240层芯片，后续可能申请在当地研发300层以上产品。 受美国2022年起芯片制造设备出口管制影响，两家企业在中国工厂安装美国设备需每年申请许可，美国商务部此前表示不打算批准扩产或技术升级申请，相关许可获批程度尚未确认。长江存储2026年第二季度在中国NAND市场份额达38.5%，已超过三星。