RecodeX 重构消息，美光在2026年度技术网络研讨会上预告了G11 NAND闪存，该产品跳过G10世代，预计2027年下半年进入产能爬坡。G11采用晶圆对晶圆键合技术，堆叠层数超过400层，面积存储密度约为现有276层G9 NAND的2倍，I/O速率最高可达其1.5倍，数据传输能耗降低25%以上。

美光还计划后续在NAND中导入高迁移率材料，以实现超密集单元架构并强化节能属性。会上美光同时介绍了两种AI级数据中心NAND设计，并展示了面向AI优化的存储解决方案。