RecodeX 重构消息，美国康奈尔大学领导的研究团队证明，在氧化铝镓薄膜中掺入硅后，材料在比以往任何半导体带隙都更宽的情况下，仍能保持稳定的导电调控能力。更宽的带隙可让电子器件体积更小、效率更高，并承受更高电压，但带隙越宽，导电性越难控制。相关论文已发表于新一期《自然》杂志。