RecodeX 重构消息，10月28日，华中科技大学光学与电子信息学院、武汉光电国家研究中心唐江教授团队在《自然》杂志在线发表研究成果：将做好电路的芯片浸入常温水溶液，硫化铅感光层便直接在芯片表面生长，制成640×512像素短波红外成像芯片。
测试显示，该团队研制的光电二极管在室温下对2.5微米红外光的比探测率达到同类器件最高水平，高于同波长商用铟镓砷探测器；成像芯片各像素响应均匀性与商用铟镓砷芯片相当，在不制冷、不补光条件下清晰拍下80摄氏度至600摄氏度高温物体的红外图像。该工艺还可用于柔性电路，制成可弯曲成像阵列。