RecodeX 重构消息,三星电子将利用其位于美国得克萨斯州泰勒市的第二座晶圆代工厂,为AMD和英伟达生产高带宽内存芯片的基础裸片。该工厂预计本月正式动工,占地约270万平方英尺,规模约为三星首座工厂的1.5倍,将采用2纳米先进制程。报道称工厂全部产能已获得订单,其中大部分来自AMD。按计划,该厂将于2029年2月开始安装设备,2030年启动量产。三星首座泰勒工厂已与特斯拉签订合同。
三星得州第二座晶圆厂动工,将为AMD与英伟达代工HBM基础裸片
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原始信息来源金十数据