RecodeX 重构消息，据行业渠道消息，SK海力士HBM4的产能良率已提升至70%以上。在同等生产投入下，该良率水平带来的合格产出较良率60%时增加约16.7%。

HBM4作为第六代高带宽内存，采用DRAM芯片垂直堆叠结构，制造工序复杂，良率损耗风险高，量产起步阶段能否稳住良率是决定大规模生产竞争力的关键。SK海力士此前在三季度财报电话会上表示，HBM4前后段工艺良率均居业界前列，表现超出原定计划，并上调了内部目标。

目前SK海力士、三星与美光均在争夺HBM4市场，这一良率进展有望影响行业竞争态势。