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三星zHBM与zNAND-O内存

持续追踪三星zHBM与zNAND-O内存相关报道与进展。

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Readhub积极AI 看多

三星公布zHBM路线图:AI加速器响应速度目标提升10倍

RecodeX 重构消息,在加州圣克拉拉举行的AI基础设施峰会上,三星公布新一代AI内存产品路线图。其下一代AI内存zHBM可使AI加速器响应速度提升10倍,目标将对话式AI系统每秒处理词元量从100个提升至1000个,性能最高达HBM5的8倍、能效达3倍。三星还计划自2028年起提供三维存储方案zNAND-O样品。

会上CXL技术遭部分与会者质疑。OpenAI及英特尔相关人士指出,CXL仅适合存放冷数据,无法替代HBM;也有业内人士认为CXL可缓解HBM价格高、供应不足的问题。

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新浪财经积极AI 看多

三星发布zHBM技术并规划2028年量产zNAND-O样品

RecodeX 重构消息,三星电子推出zHBM技术,该内存可3D直接堆叠在AI加速器上方。三星美洲半导体事业部(DSA)内存产品企划负责人Kim Indong常务表示,当前对话式AI系统单用户响应速度上限约为每秒100 token,面向即将到来的AI智能体时代,三星目标将速度提升至每秒1000 token,即提升10倍以上。三星计划自2028年起向客户大规模提供zNAND-O样品。