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中国存储芯片技术进展
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按最新发布排序CXMT HBM试产良率约25%，YMTC混合键合DRAM堆叠方案曝光
RecodeX 重构消息，韩国半导体产业协会（KSIA）引用的数据指出，中国在HBM技术上落后韩国约3年，DRAM约2年，NAND约1年。长鑫存储（CXMT）的LPDDR6已进入量产阶段，而HBM试产良率约为25%。此外，长江存储（YMTC）的XStacking铜-铜混合键合DRAM堆叠方案已进入规划。