RecodeX 重构消息，台积电等研究机构研发出单层二硫化钼（MoS2）顶栅极晶体管。该器件利用单层MoS2作为沟道材料，结合顶栅极结构，能够有效克服短沟道效应，助力半导体制造突破摩尔定律极限。相关成果为未来先进制程的进一步微缩提供了新方向。