RecodeX 重构消息,长鑫存储(CXMT)在DRAM技术上取得新进展,推出12nm级工艺的第五代DRAM产品。该技术采用四重曝光(quadruple-patterning)方案,使单颗芯片容量提升约50%。这一里程碑标志着中国厂商在先进DRAM制程上的进一步突破。
长鑫存储突破12nm级DRAM,第五代技术采用四重曝光提升晶圆容量50%
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